根据香港一知名IT网站电脑领域消息称,内存市场将收到奥运安检问题,导致商品流动效率下降使得供给至大陆的现货递延入关,因此可能会导致内存价格的反涨。
据市调机构DRAMeXchange指出,记忆体现货市场处于淡季,成交量低迷乃为正常状况,然现货价与合约价近期呈现反向走势,实较为少见。此波现货价格没跟上合约价上涨,DDR2 eTT 1Gb现货均价反自六月高点2.15下跌至6/30的1.97美元,跌幅约为8.4% 。纵使合约价在六月呈现缓步垫高走势,原厂在合约市场出现供给吃紧状况,然现货价自六月中旬却迳自走跌,至上周才止跌回稳。
现货市场之所以如此,可分供需两方因素加以说明;供给方面,瑞晶今年以来拉高产出,使现货市场供给量增加;在需求方面,对 DRAM 现货价颇具影响力的中国市场,由于奥运举办在即,近期中国相关部门对货物通关转运安全检查转严,导致商品流动效率下降,部分原应供给至中国的现货因而递延入关。
而这些未能如期进入中国的商品,在市场上流窜造成价格疲软,甚至使市场怀疑价格疲软是否肇因于实质需求不振。另外,六月底适逢部分DRAM 厂财报季底,现货买家对原厂是否因作帐压力而释出库存产生疑虑,亦使得买方收手观望。
据DRAMeXchange认为,上述几个原因中,瑞晶投片量大幅增加时间在上半年,第二季产能达满载,第三季再增加的幅度有限;中国方面,只要不是实质需求不振,奥运后DRAM供需透过市场机制将再趋正常;至于季底作帐因素,至今亦告一段落。
另外目前合约高于现货的价差,使OEM采购触角延伸至原以现货市场及模组厂为主要供应对象的DRAM厂,待认证通过,当采购量足够时,将有助于现货市场供给消化。基于上述理由,除非需大幅低于预期,现货价下跌空间有限,未来再回档或盘整后,预期将继续上涨,DRAMeXchange预估 1Gb eTT指标颗粒在第三季将有10 ~ 20%上涨空间。
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